DB11/T 1144-2014 盆栽春石斛兰栽培技术规程.pdf

pICS 65.020.20 B 62 备案号44485-2015 DB11 北京市 地方标准 DB11/T 11442014 盆栽春石斛兰栽培技术规程 Technical regulation of cultivation for potted nobile style dendrobium 2014 - 12 - 17发布 2015 - 04 - 01实施 北京市质量技术监督局 nbsp; 发布 DB11/T 11442014 I 目 nbsp;次 前言................................................................................. II 1 范围 ............................................................................... 1 nbsp;2 术语和定义 ......................................................................... 1 nbsp;3 缩略语 ............................................................................. 1 nbsp;4 组培苗生产 ......................................................................... 2 nbsp;5 温室准备 ........................................................................... 2 nbsp;6 基质准备 ........................................................................... 3 nbsp;7 水质要求 ........................................................................... 3 nbsp;8 种植容器 ........................................................................... 3 nbsp;9 生根苗移栽 ......................................................................... 3 nbsp;10 栽培管理 .......................................................................... 3 nbsp;11 花期调控 .......................................................................... 4 nbsp;12 病虫害防治 ........................................................................ 5 nbsp;附录A（资料性附录） MS培养基母液及培养基配制参数一览表 .............................. 6 nbsp;附录B（资料性附录） 春石斛兰栽培设施处理常用方法及常用药剂一览表 .................... 7 nbsp;附录C（资料性附录） 春石斛兰主要病虫害及防治方法一览表 .............................. 8 nbsp;DB11/T 11442014 II 前 nbsp;言 本标准按照GB/T 1.12009给出的规则起草。 本标准由北京市园林绿化局提出并归口。 本标准由北京市园林绿化局组织实施。 本标准起草单位北京温榆河花卉有限公司、北京市大东流苗圃。 本标准主要起草人律江、司瑞新、李振鹏、李振坚、刘克林、姜青樟、王瑛、黄庆祝、邢立霞、薛敦孟、方志军。 DB11/T 11442014 1 盆栽春石斛兰栽培技术规程 1 范围 本标准规定了盆栽春石斛兰繁殖栽培养护的全过程，包括组培苗生产、温室准备、基质准备、水质要求、种植容器、生根苗移栽、栽培管理、花期调控、病虫害防治等栽培养护环节。 本标准适用于盆栽春石斛兰组培苗的温室栽培管理。 2 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 2.1 nbsp;假鳞茎 pseudobulb 一种变态茎，粗短而肥厚，有节，叶生于节上。 nbsp;2.2 nbsp;鳞芽bulbil 从假鳞茎基部萌生出的叶芽。 2.3 nbsp;花芽 flower bud 在假鳞茎节处与叶片相对的部位萌发的绿豆状凸起，通常每芽可分化为2～4朵花。 2.4 nbsp;高位芽 high–bud seeding 在假鳞茎节上萌生出的新个体。 2.5 nbsp;止叶 terminal leaf 生长在假鳞茎顶部，其叶鞘包围的是一个圆锥状节，节上偶见急剧缩小的叶形片状体。 2.6 nbsp;缺刻 notch 春石斛兰叶片尖部的三角状缺痕。 3 缩略语 下列缩略语适用于本文件。 DB11/T 11442014 2 6-BA6苄基腺嘌呤（6-benzyladenine） NAA萘乙酸（1-naphthaleneacetic acid） TWEEN-20吐温20（polysorbate20） 4 组培苗生产 4.1 培养基 宜选用MS为基本培养基；常用生长调节剂为6-BA、 NAA。培养基配制参数参见附录A。 nbsp;4.2 外植体选择及处理 选择品种纯正、生长健康的植株，切取幼嫩的鳞芽或高位芽，清洗消毒后，进行表面灭菌，然后切取5mm茎尖进行接种培养。 nbsp;4.3 培养条件 光照强度2000lx～4000lx，光照时间12h/d，培养温度25℃2℃。 4.4 原球茎诱导 诱导培养基宜为MS6BA2.0mg/LNAA0.5mg/L蔗糖3 琼脂0.7，pH值为5.2～5.4，培养25d～30d。 4.5 继代培养 继代培养基宜为MS6BA1.0 mg/LNAA0.5mg/L蔗糖3 椰乳150g/L琼脂0.7，pH值为5.2～5.4，培养40d～50d后分化出小苗。如果需要进一步扩繁，可将原球茎切成小块进行多次转接。 4.6 生根苗培养 生根培养基宜为1/2MSNAA0.1mg/L香蕉泥100g/L活性炭0.1 蔗糖2 琼脂0.7，pH值为5.2～5.4。将株高大于5cm的小苗转接到生根培养基上。 4.7 出苗 当根系大于等于3条，株高8cm左右时，即可将生根苗运送到温室进行过渡栽培。 5 温室准备 5.1 基本要求 栽培温室应具备调控温度、湿度、光照等环境因子的设备设施。 5.2 温室处理 种植前清理温室内部及周边杂物、杂草。 种植前一周采用高效低毒杀虫剂，喷洒地面、苗床、排水沟等，喷至表面布满水滴为宜。 种植前2d～3d采用广谱性杀菌烟剂，密闭熏蒸12h～24h，期间人员不得进入。熏蒸后充分通风6h～12h。处理药剂及使用方法参见附录B。 DB11/T 11442014 3 6 基质准备 6.1 基质种类 应选择透气性好的栽培基质，常选择水苔栽培，也可选择树皮、椰糠等栽培。 6.2 水苔处理 清水浸泡水苔4h～6h，排掉多余水分后捞出水苔放入甩干机,脱水至排水口水流呈滴状流出为宜。将水苔取出放至操作台上备用。 7 水质要求 栽培水质pH值为6.5～7.0，EC值小于0.15ms/cm。不达标水质使用前需进行脱盐、酸化处理。 8 种植容器 根据种苗的不同生长阶段，可以选择72目穴盘和口径8cm深8cm的白色塑料营养钵（又称2.5寸盆）种植。通常2.5寸盆需要配合15孔植架一同使用。 9 生根苗移栽 9.1 炼苗 组培生根苗从培养间运送到温室后，需要进行闭盖2d～3d，开盖12h～24h的炼苗过程。开盖时间宜选择在1600以后进行。炼苗期间最适夜温16℃～18℃，最适日温20℃～24℃。相对湿度60～80为宜。光照强度控制在2000lx～5000lx之间为宜。 9.2 洗苗 准备好洗苗用的水盆、盛苗盘、杀菌剂等。 轻磕培养瓶底部使培养基松动，然后将瓶苗倒入盛有清水的盆中，洗净根系及植株上残留的培养基。将种苗根据大小分别摆放在不同的盛苗盘中。无根苗、黄弱苗、变异苗应舍弃。 9.3 种苗处理 一般可使用70的甲基托布津1‰浓度液或75的百菌清1‰浓度液，浸泡10min～15min。通常在处理之后还应将组培苗放置在阴凉通风处晾苗1h～2h，使根系表面略微发白后进行移栽。 9.4 移栽 在根系外围均匀包裹水苔，将种苗种植在72目穴盘中。种植宜浅不宜深，以水苔包裹于根茎交界处为宜。 10 栽培管理 10.1 上盆 DB11/T 11442014 4 通常生根苗移栽4～5个月后上盆定植。将种苗从穴盘中拔出，剪去基部丛生矮小的假鳞茎，保留1～2个生长一致的健壮植株进行上盆。 在已经抱团的根系外围均匀包裹一层水苔后种入2.5寸盆中，保持水苔上表面与营养钵下环线相平。种植时水苔宜紧不宜松。 10.2 摆放 种苗摆放在15孔植架中。根据种苗大小分别摆放，以植株叶片轻度相错为宜。摆放时应保持所有植株叶片朝向一致。 10.3 留芽 通常10月中旬鳞芽萌发，当假鳞茎生长至4cm～5cm时进行留芽处理。选择基部粗壮、节间较短的壮芽留下，每盆保留1～2个为宜。 10.4 支撑 当假鳞茎高度达到25cm～30cm时进行支撑。 根据不同品种分别选取长度40cm～50cm左右的包塑铁丝对春石斛兰进行支撑。将铁丝插在叶片缺刻的背侧，一直深入营养钵底部，然后用2～3根绑绳将其固定在铁丝上。绑绳应捆绑的松一些，通常绑环大小控制在茎粗的2～3倍左右。 10.5 环境控制 春石斛兰生长温度8℃～32℃，最适夜温16℃～18℃，最适日温26℃～28℃。穴盘苗初期光照2000lx～5000lx，后期逐渐提高到5000lx～10000lx；2.5寸盆苗期光照10000lx～15000lx。生长期相对湿度保持在60～80为宜。 10.6 肥水控制 通常穴盘苗每隔10d～15d施肥一次，交替施用氮磷钾比例为301010和202020的复合肥1500～2000倍液，EC值在0.8ms/cm～1.0ms/cm之间。2.5寸苗期每3～4个月在花盆中撒施氮磷钾比例为141414缓释肥0.5g～1g。一般采用喷淋设施浇水，可以避免2.5寸盆养护期间水管浇水对肥粒的冲击。 11 花期调控 11.1 植株准备 11.1.1 催花株苗龄 当年移栽的春石斛兰组培苗不能进行催花处理，只有经过次年栽培之后的植株才能进行催花处理。催花处理以上年秋季萌发的假鳞茎为目标。 11.1.2 催花株挑选 7月份开始挑选株高一致、生长健壮的植株准备催花，并将其栽培密度调整到40株/m2～50株/m2。 11.1.3 止叶形成 DB11/T 11442014 5 通常8月初止叶形成，8月底假鳞茎开始增粗。如果止叶尚未形成，可手工掰掉上部2～3片叶及其茎尖，以促进假鳞茎成熟增粗。 11.2 催花株管理 加强通风、适当控水、增强光照至15000lx～20000lx。同时，8月初每盆施氮磷钾比例为15912的控释肥0.5g～1g。 11.3 催花诱导 9月初开始根据外界温度变化自然降温，给催花株进行低温诱导。 10～12月开始正式催花，通常夜温控制在8℃～12℃，日温控制在18℃～22℃。11月初在叶鞘基部形成花芽，12月下旬至1月初形成花苞，此时苞尖出鞘约1mm～2mm。 催花期间应尽量保持温度的平稳，避免骤升骤降对催花结果造成不良影响。 11.4 花期调节 从苞尖出鞘1mm～2mm到花朵初开通常需要40d～50d。根据上市时间适当调低或调高生长温度2℃～3℃，通常可延迟或提早开花7d～10d。 12 病虫害防治 春石斛兰主要病害有花叶病、软腐病、黄斑病、炭疽病、灰霉病等，主要虫害有介壳虫、红蜘蛛、蛞蝓等。春石斛兰主要病虫害及防治方法参见附录C。 DB11/T 11442014 6 A nbsp;A nbsp;附 录 A （资料性附录） MS培养基母液及培养基配制参数一览表 表A.1给出了春石斛兰组织培养MS培养基母液及配制参数。 表A.1 MS培养基母液及培养基配制参数一览表 母液 名称 化学药品名称 培养基配方用量mg/L 扩大倍数 扩大后称量mg 母液定容体积ml 配制1 L 培养基吸取量ml/L 大 量 元 素 硝酸铵 NH4NO3 硝酸钾 KNO3 硫酸镁 MgSO47H2O 磷酸二氢钾 KH2PO4 1650 1900 370 170 10 10 10 10 16500 19000 3700 1700 1000 100 氯化钙 CaCl22H2O 440 10 4400 1000 100 微 量 元 素 硫酸锰 MnSO44H2O 硫酸锌 ZnSO47H2O 氯化钴 CoCl26H2O 硫酸铜 CuSO45H2O 钼酸钠 Na2MoO42H2O 碘化钾 KI 硼酸 H3BO3 22.3 8.6 0.025 0.025 0.25 0.83 6.2 100 100 100 100 100 100 100 2230 860 2.5 2.5 25 83 620 1000 10 铁 盐 硫酸亚铁 FeSO47H2O 乙二胺四乙酸二钠 Na2-EDTA 27.8 37.3 200 200 5560 7460 1000 5 有 机 物 质 烟酸 盐酸吡哆素 盐酸硫胺素 肌醇 甘氨酸 0.5 0.5 0.1 100 2.0 100 100 100 100 100 50 50 10 10000 200 1000 10 DB11/T 11442014 7 B nbsp;B nbsp;附 录 B （资料性附录） 春石斛兰栽培设施处理常用方法及常用药剂一览表 表B.1给出了春石斛兰栽培设施处理的环节及方法。 表B.1 nbsp;春石斛兰栽培设施处理常用方法及常用药剂一览表 处理环节 处理方式 常用药剂 除虫 喷雾 1.辛硫磷乳油a.i.40100g/100L～125g/100L 。 2.敌敌畏（a.i.77.5）100mL/100L 。 灭菌 熏蒸 1.百菌清烟剂a.i.45100g/667m2～150g/667m2。 2.腐霉利烟剂a.i.50100g/667m2～150g/667m2。 3.异丙威烟剂a.i.10350g/667m2～400g/667m2。 双效处理 熏蒸 1.硫磺粉熏蒸。 2.异丙威烟剂a.i.10350g/667m2～400g/667m2。/p